


詳細介紹
文天精策設計的Wafer-to-wafer(晶圓對晶圓)熱壓鍵合加熱盤,是專為熱壓鍵合(TCB)工藝打造的核心組件,熱壓鍵合技術其核心是通過同時施加熱量與壓力,使兩片完整晶圓在原子層面實現緊密接觸與擴散,最終形成牢固冶金結合,是半導體優良封裝、MEMS與微流控器件制造中的關鍵工藝裝備。
熱壓鍵合加熱盤 | |
材質 | SUS316/因瓦合金/鋁合金(根據工藝需求選配) |
溫度穩定性 | ±1℃ |
系統控溫精度 | 0.5℃(讀表精度) |
環境真空度 | 10-5mbar |
工作壓力 | 6寸晶圓適配100KN |
加熱盤平面度 | ≤10um |
工作溫度 | 400℃,最高工作溫度:550℃(適配高溫熱壓鍵合需求) |
升降溫速率 | 最大升溫速率35℃/min,最大降溫速率20℃/min |
適配晶圓尺寸 | 4寸、6寸、8寸、12寸 |
盤面溫度均勻性 | 室溫~200℃ ±1%;200-500℃ ±1.5% |
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